Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Brez svinca / RoHS
Zahtevana cena in čas izvedbe
STB7NK80Z-1 so na voljo, dobavimo lahko STB7NK80Z-1, z obrazcem za ponudbo zahtevamo STB7NK80Z-1 pirce in čas dobave.Atosn.com, profesionalni distributer elektronskih komponent. Imamo veliko zaloge in lahko hitro dostavimo. Obrnite se na nas še danes in naš prodajni zastopnik vam bo navedel podrobnosti o ceni in pošiljki v delu # STB7NK80Z-1. Vključite vprašanja carinjenja, ki ustrezajo vaši državi. Imamo profesionalno prodajno ekipoin tehnična ekipa, veselimo se sodelovanja z vami.
Zahtevaj ponudbo
Paramterji izdelka
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 100µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- Tehnologija
- MOSFET (Metal Oxide)
- Paket naprave za dobavitelja
- I2PAK
- Serija
- SuperMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
- Odmik moči (maks.)
- 125W (Tc)
- Pakiranje
- Tube
- Paket / primer
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Druga imena
- 497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
- delovna temperatura
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tip montaže
- Through Hole
- Raven občutljivosti na vlago (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Proizvajalec Standardni čas vodenja
- 38 Weeks
- Status svobodnega statusa / RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
- 1138pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 56nC @ 10V
- Vrsta FET
- N-Channel
- Funkcija FET
- -
- Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
- 10V
- Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
- 800V
- natančen opis
- N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
- Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
- 5.2A (Tc)
Podobni izdelki
- STMicroelectronics STB7NK80Z-1
- Podatkovni list STB7NK80Z-1
- Podatkovni list STB7NK80Z-1
- STB7NK80Z-1 pdf podatkovni list
- Prenesite podatkovni list STB7NK80Z-1
- Slika STB7NK80Z-1
- STB7NK80Z-1 del
- ST STB7NK80Z-1
- STMicroelectronics STB7NK80Z-1